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Infineon
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IGBT MODULE N-CH 650V 100A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:100A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.45V; Power Dissipation Pd:300W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:Module; No. of Pins:-; Operating Temperature Max:150蚓; Product Range:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
25/09/21
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产品号
003721196
ECCN
EAR99
HSCode
8541290095
产品说明书
数据手册pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
停产
否 数据手册
描述
IGBT MODULE N-CH 650V 100A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:100A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.45V; Power Dissipation Pd:300W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:Module; No. of Pins:-; Operating Temperature Max:150蚓; Product Range:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
SKU
MCD21999XS---
类目
物资>
元器件>
分立器件>
IGBT 模块
包装类型
--
SPQ
1
产地
--
净重
--克
库存分类
--
商品号
B000040869063
商品名
IGBT 模块
成员
冯凌云
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是
退货
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优惠
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15
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EAR99 ECCN号 EC0001
  • 区域中国
  • 级别 NLR
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8541290095 编码 CN8541290095H
  • 名称待办
  • 国家中国
  • 监管
  • 检疫
  • 进口税率
  • 出口税率
  • 对美税率0.00%
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  • 父类
  • 实物 否
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