作为国内知名芯片巨头，早在2020年，华为海思便设计出了先进的5nm芯片，达到了与苹果和高通同等的水平。

然而，华为遭受的不公平对待，也暴露出了另一个问题，国产芯片的制造环节存在巨大的短板，无法生产先进工艺的芯片。

EUV光刻机的缺失

国产芯片制造企业之所以无法生产先进芯片，主要还是缺少高端EUV光刻机设备。根据笔者了解，ASML是目前全球最大的光刻机好制造企业，在高端EUV光刻机领域，几乎是垄断了全球100%的市场，强如三星和台积电，都离不开这家企业的支持。

由于受到相关规则的限制，ASML无法对我国大陆地区的芯片企业自由出口EUV光刻机，也因此，中芯国际的芯片制造技术一直卡在14nm工艺节点。

虽然国内并不缺研发光刻机设备的企业，但想要开发出EUV光刻机却难如登天。主要原因是，EUV光刻机是一款极为精密的设备，其内部的零部件需要全球各个行业的顶尖企业供应，很难找到替代品。

最关键的是，在EUV光刻机方面，荷兰ASML已经建立强悍的专利壁垒，盲目对EUV光刻机进行研究，可能会造成技术侵权。

所以，研发EUV光刻机不仅需要上下游产业链的支持，还需要企业拥有强大的技术储备。

国产5nm芯片

没有EUV光刻机，华为海思设计的5nm芯片真的无法生产吗？理论上来讲的确如此，因为传统的DUV光刻机很难完成5nm量产，即便是全球第一芯片代工巨头台积电也没能找到替代方案。

当然也不是没有办法，根据1月1日快科技消息，台积电技术专家林本坚针对国产5nm芯片进行了表态，他在谈及中芯国际的技术发展时，表示中芯国际不一定需要EUV光刻机，现有的设备就能完成5nm制程芯片的生产。

按照台积电林本坚的说法，中芯国际可以利用DUV光刻机，采用多重曝光技术，完成5nm芯片的生产。

要知道，台积电第一代的7nm工艺便是用多重曝光技术生产，所以，从技术层面来看，多重曝光技术的确可以达到先进芯片制造的目的，但同时，该技术将大大增加工艺的制造难度以及精度，最关键的是，芯片制造的成本也会大幅度提升，良品率也很难控制在合理的范围内。

事实上，中芯国际在很早之前，便利用N+1的方法，实现了7nm制造技术，但由于各种条件的限制，中芯国际7nm无法实现大规模量产。

华为海思迎来曙光

不过，多重曝光技术也不失是一个目前突破技术壁垒的方法，如果中芯国际持续深入研究该技术，或许多重曝光技术可以实现大规模商用。

对于华为海思而言，将迎来希望的曙光。中芯国际一旦突破5nm芯片生产的壁垒，那么，华为海思设计的5nm芯片便能实现量产，而华为的手机业务也能彻底复活。

需要注意的是，华为需要付出较高的成本，来代工5nm芯片。

总之，中芯国际多次购入EUV光刻机失败的情况下，发展多重曝光技术来生产芯片，或许是一个新的突围方向，可以有效摆脱EUV光刻机设备的高度依赖。

另外，此前日本铠侠与合作伙伴共同开发的纳米压印微影技术，在没有EUV光刻机的情况下，也能实现5nm芯片的制造，这也为国产芯片制造企业提供了新的突围思路。

笔者相信，在我国企业共同的努力之下，芯片产业一定能够打破垄断，实现全面自主。