获美豁免后，三星西安工厂将引进236层NAND芯片生产设备

三星电子决定将其西安NAND闪存工厂过渡到200层NAND工艺。三星生产236层（第8代）NAND产品的举措被视为克服全球NAND需求低迷而导致业绩下降的战略步骤。

业内消息人士透露，三星高管已批准其西安工厂的NAND工艺升级，并已开始广泛的扩张工作。三星已开始为这一转型采购最新的半导体设备，新设备预计将在2023年底交付。

三星西安工厂是该公司唯一的海外存储半导体生产基地。自2014年建成以来，西安工厂于2020年扩建了第二家工厂，现已发展成为全球最大的NAND制造基地，每月可生产20万片12英寸晶圆。它占三星NAND总产量的40%以上。在此背景下，三星计划2024年在西安工厂陆续引进可生产236层（第8代）NAND的设备。

三星决定升级西安工厂主要有两个原因。第一，在NAND闪存市场状况没有出现复苏迹象的情况下，保持其在NAND市场的全球领先地位。去年底开始的IT市场低迷和半导体市场疲软影响了三星NAND业务，导致未售出库存增加，随后亏损扩大。

即使通过政策减产后，业绩提升依然缓慢，促使其打出工艺升级牌。随着最新第8代产品的量产，不仅可以保证价格竞争力和需求，而且考虑到第8代比第6代有更多的工艺步骤，晶圆投入自然可减少30%左右。这意味着有潜力平衡市场需求和供应。

事实上，三星在今年4月份就正式宣布减产。作为第6代（128层）V-NAND主要生产基地的西安工厂开工率也大幅下降。由于传统产品（128层）市场需求有限，且无法确保价格竞争力，据了解，工厂整体开工率降至20%左右。

流程转变的另一个原因是美国暂时缓和了三星和SK海力士在中国运营工厂的半导体法规。去年10月，美国政府要求授权向中国本土芯片生产基地出售美国制造的设备，用于制造128层以上、14nm或以下的NAND闪存和18nm或以下的DRAM内存。随着美国政府宣布对三星电子和SK海力士等半导体公司实施为期一年的豁免出口管制，韩国半导体企业对中国工厂运营可能受到限制的担忧和焦虑加剧。

不过，今年10月13日，美国商务部工业和安全局（BIS）正式宣布，三星电子和SK海力士的中国工厂将无限期豁免美国针对中国的半导体设备管制，意味着三星和SK海力士所需的半导体制造设备得以获准入境。