英诺赛科在美被判侵权，相关产品或被禁售

2024 年 7 月 8 日，氮化镓（GaN）技术厂商宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下简称宜普公司）宣布美国国际贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）最新确认其两项关键专利有效，并且判定英诺赛科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai) Technology Company Co., Ltd.）和其子公司英诺赛科美国公司（Innoscience America, Inc.）（以下简称英诺赛科）侵犯了其中一项专利。

早在去年5月25日，宜普公司向美国联邦法院和美国ITC提起诉讼，主张其基础专利组合中的四项专利受到了英诺赛科及其子公司侵犯，这些专利涵盖了宜普公司专有的增强型氮化镓功率半导体器件的设计和大批量制造工艺的核心技术方面。

在提交的起诉状中，宜普公司详述了总部位于中国广东的英诺赛科公司招募两名宜普公司员工并担任其首席技术官和销售及市场主管的相关细节。 宜普公司指控两人入职英诺赛科后不久，英诺赛科便推出了一套与宜普公司明显相同的产品，英诺赛科还自称其产品在关键性能指标上的表现与宜普公司产品几乎相同。

随后，英诺赛科又宣称其许多产品与市场上现有产品（包括宜普公司的产品）“完全兼容"。此外，英诺赛科还策划了大胆而积极的营销活动，向宜普公司的客户推销其产品套件。

对此，宜普公司向联邦法院和美国ITC起诉英诺赛科公司专利侵权、寻求损害赔偿，并希望能够禁止英诺赛科公司将其构成侵权的氮化镓产品套件进口至美国。

今年4月27日，英诺赛科通过官网宣布，就英诺赛科主张宜普公司四件专利无效事宜，美国专利商标局于2024年3月20日对其中两件专利做出立案决定，于3月26日对另外两件专利做出新的立案决定，美国专利商标局正在对四件专利是否有效进行最终审查。

英诺赛科当时表示，宜普公司对英诺赛科的专利诉讼是毫无根据的。美国专利商标局在2024年3月20日和26日做出的四个决定中，三名法官均初步同意了英诺赛科的观点，即初步同意EPC的四件专利无效。在后面的两个新决定中，英诺赛科详细阐述了多个无效理由，美国专利商标局在初审中基本同意了所有无效理由。在这两个专利无效案件中，再次基于EPC联合创始人/发明人在International Rectifier任职时的一件在先专利，英诺赛科认为EPC的这两件专利无效，美国专利商标局在立案决定中初步同意了英诺赛科的观点。接下来，美国专利商标局将收到补充陈述意见，最晚将在2025年3月26日做出最终决定。

英诺赛科称，宜普公司的四件专利可能全部无效， 其对英诺赛科的指控缺乏事实依据，英诺赛科有信心在与EPC的法律纠纷中取得最终的全面胜利。

时隔3个多月之后，近日，美国ITC初步裁定宜普公司针对英诺赛科主张的四项专利中的两项专利均有效，同时认为“英诺赛科侵犯了宜普公司核心专利（美国专利号 No. 8,350,294）”，该项专利广泛应用于多个行业。宜普公司的另一项专利（美国专利号 No. 8,404,508）同样被裁定有效，但未受英诺赛科侵权。委员会的最终裁定预计在美国当地时间 2024 年 11 月 5 日发布。

也就是说，就目前的初步裁定来看，宜普公司指控英诺赛科侵犯其四项专利的指控，实际上英诺赛科仅侵犯了其中一项专利。

目前英诺赛科尚未对此做出回应。

宜普公司则表示，此次美国ITC对宜普公司氮化镓技术专利的确认有效，巩固了宜普公司在宽禁带半导体行业领导地位的重要里程碑，并有可能导致今年晚些时候英诺赛科的相关侵权产品进入美国市场受禁。值得注意的是，在此之前中国国家知识产权局（CNIPA）也分别确认了宜普公司在中国的对应专利的有效性。

宜普公司首席执行官兼联合创始人 Alex Lidow 博士表示：“国际贸易委员会认为英诺赛科未经授权使用我们的专利技术，这让我们处于一个非常令人羡慕的地位，因为中美两国的监管机构都维持了我们专利的有效性。”

Lidow 博士补充道：“这是对我们近二十年来辛勤工作、不断投入资源、持续研发从而扩大我们公司具有独特价值的知识产权组合的肯定。”

资料显示，与传统的硅基功率器件相比，氮化镓技术带来了显著的进步，促进了功率器件的效率和开关速度，同时降低了尺寸和成本。氮化镓器件在自动驾驶汽车、医疗和通信设备、下一代快速充电器、无人机、卫星、数据中心、电动自行车、太阳能系统和仿人机器人等各类应用中均发挥着重要作用。

在过去 15 年里，宜普公司借助其先发优势开发了 200 多项与氮化镓相关的专利和 150 多种产品，其中包括快速发展的集成电路系列、车规级和抗辐射设备。

成立于2015年12月英诺赛科，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的中国高新技术企业，公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，主要产品涵盖从低压到高压（15V-1200V）的氮化镓功率器件。

根据英诺赛科的招股书显示，截至2023年12月31日，其在全球有约700项专利及专利申请，涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。

招股书还显示，英诺赛科累计向约100名境内外客户提供了氮化镓产品。2023年英诺赛科营收5.93亿元，其中境外销售收入5800万元，占同期总收入的9.8%。

虽然，从上述数据来看，美国市场如果禁售英诺赛科的相关侵权产品，对于其直接影响可能比较有限。但需要指出的是，采用英诺赛科相关侵权氮化镓芯片的终端产品在美国市场也将面临禁售，因此，英诺赛科国内客户产品要想进入美国市场，就不能继续采用英诺赛科相关侵权产品，这也将间接影响英诺赛科部分来自国内客户的营收。

英诺赛科还曾遭英飞凌起诉

2024年3月14日，英飞凌官网发布公告，指控英诺赛科侵犯了英飞凌拥有的一项与氮化镓技术有关的美国专利，该专利权利要求涉及氮化镓功率半导体的核心方面，包括提高英飞凌专有氮化镓器件可靠性和性能的创新技术。

英飞凌表示，公司将通过子公司对英诺赛科及其关联公司提起诉讼，目前已向加利福尼亚州北区地方法院提起诉讼，正在寻求永久禁令。

官网显示，英飞凌于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，其前身是西门子集团的半导体部门。公司为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案，是全球领先的半导体公司之一。

去年10月份，英飞凌宣布完成了对氮化镓系统公司(GaN Systems Inc.)的收购，此次提起诉讼的专利或许正是来自于去年的收购。目前，英飞凌已经拥有350个氮化镓相关的同族专利。

这两次专利纠纷也反映了氮化镓技术在全球范围内受到越来越多的关注，竞争也日益激烈。专家预测，在未来两到三年内，全球氮化镓市场规模将达到数十亿美元，并在未来十年内达到数百亿美元的峰值。