随全球功率半导体IGBT产能持续释出，2023年下半供需缺口将收窄

DIGITIMES研究中心统计与分析，2022年全球绝缘闸双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor；IGBT)因电动车与太阳能发电市场的强劲需求，在供应端产能有限的情况下，整体供需缺口达13.6%。展望2023年，全球IGBT业者产能持续扩张，加上经济阴霾恐导致电动车市场增速走缓，其余IGBT相关应用中，仅新能源发电新增装机量动能明确，故2023年全球IGBT供需缺口将收窄至-2.5%，当前短缺现象逐渐迈入尾声。

近年全球IGBT业者产能增长情况，依中国与国际业者分为两个阶段，2021~2023年由中国业者主导，在IGBT芯片自给率低，急需国产替代的趋势下，全球恰逢芯片短缺情境，导致中国市场主要IGBT芯片供应商(如英飞凌、三菱、富士电机等)相继供不应求，中国IGBT业者则趁机透过低售价、及时客户服务与稳定的供应链，成功打进下游客户，并逐渐拉升产能以提高市占率。

国际业者方面，因过去全球IGBT市场相对供需平衡，竞争格局亦不易变动，实施激进的产能扩张或面临供过于求致使产品订价下滑的风险，因而对增产计划一向较为保守，然在庞大的终端市场需求(主要为新能源汽车、发电与储能装置等)牵动下，国际业者纷纷加入IGBT扩产行列，预期主要投产时间落在2023~2025年。