三星：2024年中国市场DRAM/NAND芯片供应将出现短缺

三星电子最近对其全球主要客户的半导体需求进行了调查。结果表明，各领域客户的存储库存调整已接近完成，从2024年开始，部分地区的DRAM和NAND Flash供应将出现短缺。

三星启动了2024年大规模半导体需求调查，分析了全球主要客户的存储库存现状。三星特别工作组将根据调查结果决定是否继续减产，并将讨论如果继续减产的规模。

据悉，调查结果表明，半导体行业将从2024年起全面反弹。随着智能手机市场逐渐复苏，预计一些市场将出现DRAM和NAND芯片的供应短缺，特别是在中国市场。

三星的一位高级管理人员提到，越来越多的半导体公司已经完成库存调整阶段，特别是在与最大客户苹果公司成功进行价格谈判之后。预计NAND业务的亏损将大幅减少。

在服务器DRAM业务方面，针对北美大客户的半导体库存调整也进入最后阶段。数据中心运营商为了应对人工智能（AI）需求，正在扩大基础设施投资。

证券业人士表示，考虑到库存逐步稳定，预计从第四季度开始，存储市场供需改善和价格上涨趋势将同时显现。三星是否继续减少产量还需进一步关注。

今年Q4或提高NAND产品价格逾10%

据韩媒报道，日前多位消息人士透露，三星内部认为目前NAND Flash供应价格过低，公司计划今年四季度起，调涨NAND Flash产品的合约价格，涨幅在10%以上；预计最快本月新合约便将采用新价格。

今年以来，三星一直奉行减产战略，1月、4月已连续宣布调整晶圆投入。最初的减产举措主要集中在DRAM领域，之后下半年三星开始着手大幅削减NAND Flash业务产量，眼下正试图推动NAND价格正常化。

如今DRAM已出现价格反弹，而NAND产品仍存突破空间。三星目标是扩大减产规模，降低供应量，再提高产品价格来寻求反转，其期望明年第二季实现NAND盈亏平衡点。

SK证券研究员Han Dong-hee认为，三星的第二波减产计划和获利优先政策有望带动存储芯片价格反弹。

值得一提的是，三星9月已与客户（包括小米、OPPO及谷歌）签署了内存芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片价格较之前合同价格上调10%-20％。三星电子预计，从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。

另外，原厂近期已通知下游厂商，Q4将调涨合约价。不同产品涨幅不同，但涨幅几乎都在双位数水平，其中NAND Flash Q4合约价有望涨一至两成，DRAM则约涨一成。

10月初，威刚董事长陈立白表示，存储芯片产业苦熬两年，黑暗将过，2024年下半年更可能出现短缺。他认为，由于三大存储芯片巨头积极减产，效益开始显现，NAND及DRAM近期现货价皆从低谷处呈现双位数反弹。

目前业内买卖双方正在洽谈合约价，陈立白估计，DRAM及NAND Flash第四季度合约价将上涨10%-15%，三星甚至计划调涨20%，仍待观察成交价。

从行业供给端来看，中信证券预计，2023年行业供给增速将低于需求增速，供需将逐步达到平衡，有助于库存修复，看好存储板块周期2023年下半年见底。需求端而言，目前终端厂商已处于去库存的后期，全年出货有望呈现前低后高，看好2023年下半年至2024年下游需求回暖趋势。

总体上，分析师预计下半年随着库存去化，需求逐步回归，行业细分龙头有望迎来业绩修复机会，看好国内存储产业链周期复苏叠加本土化趋势下的投资机遇，建议关注：1）存储模组；2）存储芯片设计；3）存储配套芯片。