铠侠明年生产新一代NAND Flash

据外电报导，日本记忆体晶片制造商铠侠（Kioxia）计划2026年开始，在岩手县工厂生产新一代的NAND快闪记忆晶片，以满足AI资料中心日益增长的需求。

报导指出，该款记忆体晶片将以「第10代」技术展开量产，与自家现行的第8代产品相比，可堆迭记忆体的层数由218层大幅提升至332层，每单位面积的储存容量可提升59％，资料传输速度也能提高33％，此外该款新品能耗也更低。

上述提及的新晶片效能提升，如记忆容量、传输速率乃至用电量，对于需要高速处理的AI运算工作来说，皆至关重要。

多名消息人士指出，铠侠并不会盖新工厂，而是活用今年9月投产的岩手县北上市的晶圆二厂（K2）生产第10代NAND快闪记忆晶片。

该工厂现已可支援採用CBA（CMOS Direct Bonded to Array）技术生产218层3D NAND，并设计为可延伸至未来更高堆迭的NAND世代。随着AI採用加速及NAND长期需求增加，该厂的产能将逐步提升，并预计2026年上半年就能开始量产。

此外，铠侠採取双线发展策略，一方面开发推出层数更多、容量更大的大型产品，如上文所提的第10代晶片；另一方面则开发并量产高效能、但投资成本较低的产品，也就是第9代晶片。

第9代晶片将在四日市晶圆厂生产，预计推出时间为2025会计年末，会在第10代产品问世前推出量产，主要针对消费性产品与手机应用。